本報記者 李勇
薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備與刻蝕設(shè)備作為晶圓制造三大核心設(shè)備,決定著芯片制造工藝的先進程度。作為打破薄膜沉積設(shè)備國際壟斷的國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商和國內(nèi)領(lǐng)先的ALD設(shè)備廠商,拓荊科技將于2022年4月8日網(wǎng)上、網(wǎng)下申購,網(wǎng)下申購代碼“688072”,網(wǎng)上申購代碼“787072”,發(fā)行價格71.88元/股。
拓荊科技主要從事高端半導體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦于半導體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn),主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個產(chǎn)品系列,廣泛應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線,并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。公開披露信息顯示,公司下游客戶包含中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠商。
作為高新技術(shù)企業(yè),拓荊科技立足于自主創(chuàng)新,持續(xù)研發(fā)投入,在半導體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域,拓積累了多項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)。數(shù)據(jù)顯示,截至2022年3月8日,公司累計獲取授權(quán)專利174項,其中發(fā)明專利共計98項。同時,公司還先后承擔了“90-65nm等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”、“1x nm 3D NAND PECVD 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等多項國家重大專項/課題。
據(jù)了解,拓荊科技此次發(fā)行所募資金將主要用于高端半導體設(shè)備擴產(chǎn)、先進半導體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進,以及ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化等項目。據(jù)公司董事長呂光泉網(wǎng)上路演時的介紹,拓荊科技目前已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設(shè)備,擁有多項核心技術(shù),解決了半導體制造中納米級厚度薄膜均勻一致性、薄膜表面顆粒數(shù)量少、快速成膜、設(shè)備產(chǎn)能穩(wěn)定高速等關(guān)鍵難題,關(guān)鍵性能指標已達到國際先進水平。截至2021年9月10日,公司在手訂單15億元。
拓荊科技總經(jīng)理田曉明在參與網(wǎng)上路演時表示,“相較于國外主流設(shè)備,拓荊設(shè)備的主要技術(shù)參數(shù)已達到國際設(shè)備水平。在國內(nèi)客戶售后服務(wù)更具有快速響應(yīng)等優(yōu)勢,公司產(chǎn)品采取差異化戰(zhàn)略,更具有競爭力的成本優(yōu)勢。未來公司還將不斷豐富產(chǎn)品種類,提高研發(fā)創(chuàng)新力度,不斷提高市場占有率。”
(編輯 才山丹)
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