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長鑫存儲董事長朱一明:DRAM項目計劃年內大規(guī)模投產

2019-05-16 06:42  來源:中國證券報

    長鑫存儲與長江存儲、福建晉華并稱為國產存儲器三大探路者。5月15日,長鑫存儲董事長朱一明透露,公司已累計投入25億美元研發(fā)費用,建成嚴謹合規(guī)的研發(fā)體系和獨有技術體系。目標年內實現(xiàn)大規(guī)模投產,產生正向現(xiàn)金流。

    構建技術體系

    5月15日,在全球半導體聯(lián)盟(GSA)與上海市集成電路行業(yè)協(xié)會共同舉辦的存儲峰會上,DRAM生產商長鑫存儲介紹自身的建設經歷和知識產權體系。

    DRAM產業(yè)在全球發(fā)展了幾十年,制程技術持續(xù)進步,在架構、制程、設計、接口、測試、系統(tǒng)等方面存在很多專利,且絕大部分控制在三星、海力士和美光手中。新進者是否擁有合規(guī)的技術來源以及自主創(chuàng)新能力成為立足發(fā)展的關鍵。

    朱一明表示,長鑫存儲通過自主研發(fā)再創(chuàng)新,累計投入25億美元研發(fā)費用,建成了嚴謹合規(guī)的研發(fā)體系,并結合當前先進設備完成了大幅度的工藝改進,開發(fā)出獨有的技術體系,拉近了與世界先進水平的技術差距。長鑫存儲完成了第一座12英寸DRAM存儲器晶圓廠的建設,技術和產品研發(fā)有序開展。目前,制造工藝進展順利,已持續(xù)投入晶圓超過15000片。

    DRAM即動態(tài)隨機存儲芯片,是最常見的系統(tǒng)內存,廣泛用于PC、手機、服務器等領域,是集成電路產業(yè)產值占比最大的單一芯片品類。中國大陸是該芯片最大的應用市場,卻幾乎不擁有自主產能,韓國三星、海力士、美國美光壟斷了該產業(yè)95%的產能。

    2016年,長鑫存儲項目啟動,是中國大陸少有的DRAM設計和制造一體化項目(IDM),當時與長江存儲和福建晉華并稱為中國存儲產業(yè)的三大探路者,備受業(yè)界矚目。

    進軍存儲主流市場

    2016年,朱一明“二次創(chuàng)業(yè)”投身于長鑫存儲。他創(chuàng)辦的兆易創(chuàng)新于2016年已成功登陸A股,并是中國大陸細分存儲芯片設計領域的領頭羊。2018年,朱一明還辭去了兆易創(chuàng)新CEO一職,以便在長鑫存儲全力以赴。

    兆易創(chuàng)新在NORFlash領域已經成長為全球龍頭。但NOR不是存儲器市場的主流產品,朱一明一直希望走進主流市場,再上一個臺階。

    在合肥和兆易創(chuàng)新的共同推動下,長鑫存儲正式成立。整個長鑫存儲項目預計總投資超過72億美元,工程將分3期完成,預計月產能將達12.5萬片。

    2017年10月,兆易創(chuàng)新公告,與合肥產投簽署合作協(xié)議,約定雙方在安徽省合肥市經濟技術開發(fā)區(qū)合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項目,項目預算約為180億元人民幣,目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功,即實現(xiàn)產品良率不低于10%。該項目由公司和合肥產投按照1:4的比例負責籌集,公司負責籌集約36億元。雙方約定,若按期實現(xiàn)項目目標,則應合肥產投要求,兆易創(chuàng)新有義務在目標實現(xiàn)后5年內,通過自身和/或第三方收購合肥產投在該項目中的權益。

    2019年4月30日,兆易創(chuàng)新公告,與合肥產投、長鑫集成簽署《可轉股債權投資協(xié)議》,以可轉股債權方式對長鑫存儲項目投資3億元,履行前述合作協(xié)議中約定的部分籌資義務。

    朱一明說,相比創(chuàng)辦兆易創(chuàng)新,長鑫存儲的挑戰(zhàn)和風險更多。當時的公告就列出了市場風險、新產品替代、人才引進、知識產權、設備進口五大風險。

    朱一明指出,存儲器是重資產產業(yè),長鑫存儲總投資過千億,人才費用、設備折舊、研發(fā)投入持續(xù)成為公司的壓力。“希望盡快投產,讓現(xiàn)金流滾動起來。”

    機遇挑戰(zhàn)并存

    2016年第二季度開始,存儲器價格一路飆升。據WSTS數據,2017年全球存儲器市場規(guī)模達到1240億美元,同比增長61.5%,成為集成電路最大細分領域,市場份額30.1%。具體看,DRAM銷售額為728億美元,同比增長74%;NANDFlash銷售額為492億美元,同比增長44%。存儲器價格上漲,助推全球半導體市場以20%以上的增速增長。

    經歷兩年的瘋狂上漲后,存儲器市場進入深度調整期,各大內存廠產能持續(xù)增加,NAND和DRAM均供過于求,價格持續(xù)走低。集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫存過高影響,2019年第一季度,DRAM合約價跌幅持續(xù)擴大,整體均價已下跌逾20%。然而,價格加速下跌并未刺激需求回暖,預計DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季度。

    按照計劃,2019年下半年,長江存儲將正式量產64層Xtacking3DNAND產品,長鑫存儲則有望在今年第三季度大規(guī)模量產。市場情況不容樂觀,這些企業(yè)可能面臨量產即虧損的挑戰(zhàn)。

    長江存儲執(zhí)行董事長高啟全曾接受記者采訪時表示,要達到20%的市占率才能存活。不過,“十年之內不應該看價格,達到一定的良率、一定的品質才能確保量產時不虧大錢。如果短時間內趕上世界水準的良率和成本,量產時不虧大錢,就能把整個大陸的芯片產業(yè)帶動起來。”

    從整個產業(yè)發(fā)展角度看,國產存儲廠商崛起有利于帶動整條產業(yè)鏈國產化率水平提升。國泰君安研報指出,長江存儲是目前對于國產設備最為友好的產線之一。2017年-2018年,長江存儲共采購了17批共計約2000臺設備。其中,中微公司供應刻蝕設備,盛美半導體和北方華創(chuàng)等貢獻清洗設備,被亦莊國投收購了的Mattson貢獻去膠設備、熱處理設備等。展望2019年,項目已進入第二階段2萬片產能爬坡期,處于設備采購與搬入的高峰階段,北方華創(chuàng)、中微公司等設備廠商有望加速實現(xiàn)供應。

    朱一明表示,公司今年目標是實現(xiàn)大規(guī)模投產,產生正向現(xiàn)金流,實現(xiàn)商業(yè)可持續(xù);中期目標是成為在全球受尊敬的存儲公司,同時賦能本土產業(yè)鏈。

    隨著5G、大數據、物聯(lián)網和AI等應用的興起,服務器和數據存儲迎來了巨大的市場需求。市場分析機構IHSMarkit預測,未來幾年,服務器DRAM需求高速增長,智能手機DRAM需求將保持28%的增長率,整體DRAM供需增長將保持在20%左右。ICInsights預測2019年DRAM市場規(guī)模將突破1000億美元。

    朱一明說,人工智能、5G應用落地帶動DRAM需求進一步增長,將為新廠商提供商機。同時,新廠商將面臨諸如成本、質量、市場接受度等挑戰(zhàn)。

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